基于低噪声放大器设计原理,从噪声、线性度、阻抗匹配等方面详细讨论了低噪声放大器的设计.电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计,利用ADS2005A对电路进行谐波平衡、S参数分析及双音测试,结果表明,其噪声系数为1.795dB,正向增益为17.35dB,IIP3约为-1.43dBm,功耗约8.96mW. 



24GHz 018μm CMOS低噪声放大器分析与设计.pdf

*博客内容为网友个人发布，仅代表博主个人观点，如有侵权请联系工作人员删除。